我国3D闪存项目研究获突破将助下一代存储器发展

　　近日，由国家存储器主要承担单位长江存储科技有限责任公司与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。据长江存储CEO杨士宁在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会上介绍，32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。

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